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CMZB39(TE12L,Q) 零件图片（仅供参考）

CMZB39(TE12L,Q)
东芝半导体 订单到达，马上发货

CMZB39(TE12L,Q) 规格参数

  • 东芝半导体公司完整型号：CMZB39(TE12L,Q)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：DIODE ZENER 39V 1W MFLAT
  • 系列：-
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：39V
  • 容差：±10%
  • 功率 - 最大值：1W
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：35 欧姆
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：10A @ 31.2V
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 200mA
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOD-128
  • 供应商器件封装：M-FLAT（2.4x3.8）
  • CMZB39(TE12L,Q)，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
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CMZB39(TE12L,Q) 基本参数：

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