GT15J311(SM,Q)（东芝半导体，单路IGBT，TO-220SM）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：GT15J311(SM,Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 15A 70W TO220SM

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15A

Current - Collector Pulsed (Icm)：30A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，15A

功率 - 最大值：70W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：400ns/500ns

Test Condition：300V， 15A， 75 欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：200ns

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-220SM

GT15J311(SM,Q)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：GT15J311(SM,Q)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：IGBT 600V 15A 70W TO220SM

产品应用分类：单路IGBT

点击此处查询GT15J311(SM,Q)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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