GT30J324(Q)（东芝半导体，单路IGBT，TO-3P）

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Toshiba

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：GT30J324(Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A

Current - Collector Pulsed (Icm)：60A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A

功率 - 最大值：170W

Switching Energy：1mJ （开）， 800μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：90ns/300ns

Test Condition：300V， 30A， 24 欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：60ns

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P（N）

GT30J324(Q)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：GT30J324(Q)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

产品应用分类：单路IGBT

点击此处查询GT30J324(Q)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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