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GT30J65MRB,S1E 零件图片（仅供参考）

GT30J65MRB,S1E
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GT30J65MRB,S1E 规格参数

  • 型号:GT30J65MRB,S1E
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-3P（N）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 650V 60A TO-3P
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值:200 W
  • 开关能量:1.4mJ（导通），220J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:70 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:75ns/400ns
  • 测试条件:400V，15A，56 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):200 ns
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P（N）
  • GT30J65MRB,S1E，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
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GT30J65MRB,S1E 基本参数：

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