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GT40WR21,Q 零件图片（仅供参考）

GT40WR21,Q
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GT40WR21,Q 规格参数

  • 型号:GT40WR21,Q
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-3P（N）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 1350V 40A TO-3P
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:5.9V @ 15V，40A
  • 功率 - 最大值:375 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C 时 Td（开/关）值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P（N）
  • GT40WR21,Q，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
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GT40WR21,Q 基本参数：

  • 电子零件型号：GT40WR21,Q
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，已更名为Kioxia铠侠）
  • 技术标准参数：IGBT 1350V 40A TO-3P
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 点击此处查询GT40WR21,Q的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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