GT50JR22(STA1,E,S) 零件图片（仅供参考）
GT50JR22(STA1,E,S) 规格参数
- 型号:GT50JR22(STA1,E,S)
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:TO-3P（N）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 50A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:230 W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:-
- 25°C 时 Td（开/关）值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P（N）
- GT50JR22(STA1,E,S)，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
