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MG400V2YMS3(DAE) 零件图片（仅供参考）

MG400V2YMS3(DAE)
东芝半导体 订单到达，马上发货

MG400V2YMS3(DAE) 规格参数

  • 型号:MG400V2YMS3(DAE)
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:SIC MOSFET MODULE, 1700V, 400A
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1700V（1.7kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.5V @ 400mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:53000pF @ 900V
  • 功率 - 最大值:2000W（Tc）
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:-
  • MG400V2YMS3(DAE)，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
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MG400V2YMS3(DAE) 基本参数：

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