SSM3J56MFV,L3F(T 零件图片（仅供参考）
SSM3J56MFV,L3F(T 规格参数
- 东芝半导体公司完整型号：SSM3J56MFV,L3F(T
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：390毫欧 @ 800mA， 4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：100pF @ 10V
- 功率 - 最大值：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-723
- 供应商器件封装：VESM
- SSM3J56MFV,L3F(T，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
