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规格参数
东芝半导体公司完整型号:SSM6J501NU,LF(T制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)描述:MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B系列:-FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):15.3 毫欧 @ 4A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29.9nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2600pF @ 10V功率 - 最大值:1W安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-UDFN (2x2)SSM6J501NU,LF(T,东芝半导体(Toshiba)产品一站式供应商。
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