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SSM6L35FE(TE85L,F) 零件图片（仅供参考）

SSM6L35FE(TE85L,F)
东芝半导体 订单到达，马上发货

SSM6L35FE(TE85L,F) 规格参数

  • 东芝半导体公司完整型号：SSM6L35FE(TE85L,F)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
  • 系列：-
  • FET 类型：N 和 P 沟道
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180mA，100mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9.5pF @ 3V
  • 功率 - 最大值：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）
  • SSM6L35FE(TE85L,F)，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
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SSM6L35FE(TE85L,F) 基本参数：

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