SSM6N951L,EFF（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-SMD，无引线）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SSM6N951L,EFF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：12V

25°C时电流-连续漏极(Id)：8A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.1 毫欧 @ 8A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：-

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

封装：6-SMD，无引线

SSM6N951L,EFF，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6N951L,EFF

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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