TK125E60Z1,S1X 零件图片（仅供参考）
TK125E60Z1,S1X 规格参数
- 型号:TK125E60Z1,S1X
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:N-CH MOSFET 600 V 0.125 OHM TO-2
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 730A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 300 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- TK125E60Z1,S1X，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
