TK12P60W,RVQ(S 零件图片（仅供参考）
TK12P60W,RVQ(S 规格参数
- 制造商产品型号：TK12P60W,RVQ(S
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：DTMOSIV
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：340 毫欧 @ 5.8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 600A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 300V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
- 工作温度：150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DPAK
- TK12P60W,RVQ(S，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
