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TK13E25D,S1X(S 零件图片（仅供参考）

TK13E25D,S1X(S
东芝半导体 订单到达，马上发货

TK13E25D,S1X(S 规格参数

  • 型号:TK13E25D,S1X(S
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-220-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 6.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:102W（Tc）
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • TK13E25D,S1X(S，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
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TK13E25D,S1X(S 基本参数：

  • 电子零件型号：TK13E25D,S1X(S
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，已更名为Kioxia铠侠）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 点击此处查询TK13E25D,S1X(S的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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