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TK16J60W,S1VQ 零件图片(仅供参考)

TK16J60W,S1VQ
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TK16J60W,S1VQ 规格参数

  • 制造商产品型号:TK16J60W,S1VQ
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:DTMOSIV
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):15.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):190 毫欧 @ 7.9A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.7V @ 790A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):38nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1350pF @ 300V
  • FET功能:超级结
  • 功率耗散(最大值):130W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-3P(N)
  • TK16J60W,S1VQ,东芝半导体(Kioxia,铠侠)产品一站式供应商。
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TK16J60W,S1VQ 基本参数:

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