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TK3R3A06PL,S4X 零件图片(仅供参考)

TK3R3A06PL,S4X
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TK3R3A06PL,S4X 规格参数

  • 型号:TK3R3A06PL,S4X
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-220SIS
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 700A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):71 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5000 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):42W(Tc)
  • 工作温度:175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220SIS
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • TK3R3A06PL,S4X,东芝半导体(Kioxia,铠侠)产品一站式供应商。
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TK3R3A06PL,S4X 基本参数:

  • 电子零件型号:TK3R3A06PL,S4X
  • 原始制造厂商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,已更名为Kioxia铠侠)
  • 技术标准参数:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询TK3R3A06PL,S4X的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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