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TK65E10N1,S1X 零件图片（仅供参考）

TK65E10N1,S1X

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TK65E10N1,S1X 规格参数

型号:TK65E10N1,S1X
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N CH 100V 148A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):148A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5400 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:192W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
TK65E10N1,S1X，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。

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TK65E10N1,S1X 基本参数：

电子零件型号：TK65E10N1,S1X
原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，已更名为Kioxia铠侠）
技术标准参数：MOSFET N CH 100V 148A TO220
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询TK65E10N1,S1X的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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