TK9A45D(STA4,Q,M) 零件图片(仅供参考)
TK9A45D(STA4,Q,M) 规格参数
- 型号:TK9A45D(STA4,Q,M)
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:TO-220SIS
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):450 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):770 毫欧 @ 4.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):16 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):40W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220SIS
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- TK9A45D(STA4,Q,M),东芝半导体(Kioxia,铠侠)产品一站式供应商。