TPC8032-H(TE12LQM)（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOP（5.5x6.0））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：TPC8032-H(TE12LQM)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 7.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10V

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2846pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

TPC8032-H(TE12LQM)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TPC8032-H(TE12LQM)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询TPC8032-H(TE12LQM)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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