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TPC8112(TE12L,Q) 零件图片(仅供参考)

TPC8112(TE12L,Q)
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TPC8112(TE12L,Q) 规格参数

  • 东芝半导体公司完整型号:TPC8112(TE12L,Q)
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 13A SOP8 2-6J1B
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 6.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):130nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5880pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)
  • TPC8112(TE12L,Q),东芝半导体(Kioxia,铠侠)产品一站式供应商。
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TPC8112(TE12L,Q) 基本参数:

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