TPH2900ENH,L1Q 零件图片（仅供参考）
TPH2900ENH,L1Q 规格参数
- 型号:TPH2900ENH,L1Q
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:8-SOP Advance（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 16.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOP Advance（5x5）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- TPH2900ENH,L1Q，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
