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TPH4R008QM,LQ 零件图片（仅供参考）

TPH4R008QM,LQ

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TPH4R008QM,LQ 规格参数

型号:TPH4R008QM,LQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
封装:8-SOP Advance（5x5.75）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 43A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 600A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:960mW（Ta），170W（Tc）
工作温度:175°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOP Advance（5x5.75）
封装/外壳:8-PowerTDFN
TPH4R008QM,LQ，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。

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TPH4R008QM,LQ 基本参数：

电子零件型号：TPH4R008QM,LQ
原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，已更名为Kioxia铠侠）
技术标准参数：POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询TPH4R008QM,LQ的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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