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TPW1R104PB,L1XHQ 零件图片（仅供参考）

TPW1R104PB,L1XHQ
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TPW1R104PB,L1XHQ 规格参数

  • 型号:TPW1R104PB,L1XHQ
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:8-DSOP Advance
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.14 毫欧 @ 60A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 500A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4560 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:960mW（Ta），132W（Tc）
  • 工作温度:175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DSOP Advance
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • TPW1R104PB,L1XHQ，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
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TPW1R104PB,L1XHQ 基本参数：

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