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TRS6E65C,S1Q 零件图片(仅供参考)

TRS6E65C,S1Q
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TRS6E65C,S1Q 规格参数

  • 东芝半导体公司完整型号:TRS6E65C,S1Q
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
  • 系列:-
  • 二极管类型:碳化硅肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650V
  • 电流 - 平均整流 (Io):6A(DC)
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.7V @ 6A
  • 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:90A @ 650V
  • 不同 Vr、F 时的电容:35pF @ 650V,1MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:TO-220-2L
  • 工作温度 - 结:175°C (最大)
  • TRS6E65C,S1Q,东芝半导体(Kioxia,铠侠)产品一站式供应商。
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TRS6E65C,S1Q 基本参数:

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