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TW031V65C,LQ 零件图片（仅供参考）

TW031V65C,LQ

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TW031V65C,LQ 规格参数

型号:TW031V65C,LQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
封装:4-DFN-EP（8x8）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 29A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 18 V
Vgs（最大值）:+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2288 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:156W（Tc）
工作温度:175°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:4-DFN-EP（8x8）
封装/外壳:4-VSFN 焊盘
TW031V65C,LQ，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。

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TW031V65C,LQ 基本参数：

电子零件型号：TW031V65C,LQ
原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，已更名为Kioxia铠侠）
技术标准参数：N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询TW031V65C,LQ的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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