TW070J120B,S1Q 零件图片（仅供参考）
TW070J120B,S1Q 规格参数
- 型号:TW070J120B,S1Q
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:TO-3P（N）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 18A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.8V @ 20mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:±25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1680 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:272W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-3P（N）
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- TW070J120B,S1Q，东芝半导体（Kioxia，铠侠）产品一站式供应商。
